國硅集成650V單通道半橋柵極驅動芯片NSG6000的應用，可替代InfineonIR210X
一、概述
NSG6000半橋柵極驅動芯片是650V電壓功率MOSFET和IGBT半橋柵驅動器。自帶死區保護、高低側互鎖功能，防止高低側直通。具有較強的VS負偏壓、負過沖耐受能力。輸入電平兼容低至3.3V的CMOS或LSTTL邏輯輸出電平。具有寬VCC范圍、帶滯后的欠壓鎖定。
二、主要特征
PIN2PIN替換InfineonIR210X
最高芯片耐壓650V
兼容3.3V，5V，15V輸入邏輯
Vs負偏壓能力達-9V
放
防直通保護：
——死區時間130ns
欠壓鎖定
——VCC欠壓鎖定閥值8.7V/7.7V
——VBS欠壓鎖定閥值8.2V/7.3V
驅動電流能力：
—─拉電流/灌電流=0.6A/1A
SOP8封裝
三、電路
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四、NSG6000半橋柵極驅動芯片應用推薦
五、NSG6000半橋柵極驅動芯片冰箱應用電路
六、NSG6000-VS負偏壓測試數據
七、NSG6000 + NCE06ER65BK Switching測試
八、NSG6000-與競品參數對比
| 項目 | NSG6000 | XX2206 | XX2304 |
| UVLO+(V) | 8.80 | 8.85 | 9.03 |
| UVLO-(V) | 7.80 | 8.18 | 8.23 |
| lo+(A) | 0.56 | 0.27 | 0.37 |
| lo-(A) | 1.17 | 0.36 | 0.72 |
| Iq(uA) | 68 | 160 | 208 |
國硅產品相比市場上同類型號產品：
——電流能力更大，可以驅動電流能力更大的功率管；
——靜態電流更低，更低的功耗。
九、NSG6000半橋柵極驅動芯片拉灌電流測試數據
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