NSG2061Q NSG2063Q NSG2065Q可以替代FD6288Q半橋柵極驅(qū)動芯片
大家都知道FD6288T&Q一款集成了三個獨(dú)立的半橋柵極驅(qū)動集成電路芯片，專為高壓、高速驅(qū)動MOSFET設(shè)計(jì)，可在高達(dá)+250V電壓下工作。國硅集成的半橋柵極驅(qū)動芯片NSG2061Q/NSG2063Q/NSG2065Q可以替代這個FD6288Q，
NSG2061Q是三相橋驅(qū)動芯片，高低側(cè)同相，浮地通道最高工作電壓可達(dá)250V，輸出拉電流/灌電流能力為1.5A/1.8A，兼容3.3V/5V輸入邏輯，具有防直通死區(qū)邏輯和欠壓鎖定功能，封裝為QFN24。FD6288Q也是三相橋驅(qū)動芯片，懸浮絕對電壓250V，輸出電流+1.5A/-1.8A，電源電壓工作范圍5.0-20V，同樣兼容3.3V/5V輸入邏輯，內(nèi)置欠壓保護(hù)、直通防止和死區(qū)時間控制。兩者的主要參數(shù)和功能高度一致，因此NSG2061Q可以替代FD6288Q。
NSG2065Q與FD6288Q對比：NSG2065Q是三相高壓功率MOSFET和IGBT柵極驅(qū)動器，浮動通道驅(qū)動設(shè)計(jì)可容納總線電壓高達(dá)250V，輸出拉灌電流可以達(dá)到 1.2A/1.5A，工作電壓范圍寬，高、低側(cè)柵極驅(qū)動電壓都可經(jīng)優(yōu)化以達(dá)到最佳驅(qū)動效率，內(nèi)部防直通和死區(qū)電路可以防止兩個晶體管同時導(dǎo)通，欠壓鎖定功能確保了當(dāng)供電電壓較低時，兩個驅(qū)動器輸出都是低電平，集成自舉二極管，可最大優(yōu)化芯片外圍電路?？梢宰鳛樘娲桨?。
相關(guān)資訊
最新產(chǎn)品
同類文章排行
- 國硅集成NSH505PQ智能功率IPM模塊的應(yīng)用
- 國硅集成電路NSH405M0PC替代替代凌歐（晶豐明源）LKS1D5004D智能功率模塊ipm
- 國硅集成電路500V半橋智能功率模塊（IPM）NSH305M0PC替代凌歐（晶豐明源）LKS1D5003D
- NSG2061Q NSG2063Q NSG2065Q可以替代FD6288Q半橋柵極驅(qū)動芯片
- 功率因數(shù)校正控制芯片-PN8286W
- 2025年東莞市中銘電子重慶游
- 芯能半導(dǎo)體IPM智能功率模塊XNS20SM1E6有哪些特征？
- 深圳芯能半導(dǎo)體技術(shù)有限公司
- 比亞迪MCU單片機(jī)東莞市中銘電子能提供那些技術(shù)支持
- 國硅集成電路授予東莞市中銘電子貿(mào)易有限公司為合法銷售權(quán)
最新資訊文章
您的瀏覽歷史
