PN523B集成PFM控制器及650V高雪崩能力智能功率MOSFET，用于外圍元器件極精簡的小功率非隔離開關電源。PN523B內置650V高壓啟動模塊，實現系統快速啟動、超低待機功能。該芯片提供了完整的智能化保護功能，包括過載保護，過溫保護。另外PN523B的降頻調制技術有助于改善EMI特性。[查看]

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PN8736集成了脈沖寬度調制（PWM）控制器與功率MOSFET，是一款專為高性能離線轉換器設計的芯片，僅需極少的外部元器件即可工作。 PN8736具備完備的保護功能與自動恢復特性，包括逐周期電流限制（可調節占空比）、過載保護（OLP）、過溫保護（OTP）、過壓保護（OVP）及軟啟動功能。它支持打嗝模式（Hi-mode）、谷底模式（Eco-mode）和突發模式（Burst mode），可顯著降低待機功耗，滿足能效標準要求，并通過頻率調制實現更優的電磁干擾（EMI）性能。 該芯片內置高壓啟動電路，采用前沿的平臺工藝，非常適合充電器、適配器及開放式開關電源等應用場景。[查看]

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PN3734集成PFM控制器及650V高雪崩能力智能功率MOSFET，用丁外圍元器件極精簡的小功率非隔離開關電源。PN3734內置高壓啟動模塊，實現系統快速啟動、超低待機功能。該芯片提供了完整的智能化保護功能，包括過載保護，欠壓保護，過溫保護。另外PN3734的降頻調制技術有助丁改善EMI特性。[查看]

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PN8081是內置高壓低導通電阻MOSFET的開關穩壓器。在單個IC中集成了功率開關、控制邏輯和保護電路。可以用于多種開關穩壓應用（例如：副邊反饋反激開關電源和正激開關電源）。該轉換器非常適用于48V通信電源輔源、42V汽車電源和12V輸入應用。PN8081最高可穩定帶載10W。內置的誤差放大器使PN8081在隔離或非隔離應用中，支持次級與初級側的反饋調節。單芯片集成200V/0.7Ω N溝道功率MOSFET，工作開關頻率通過CT管腳調節，且范圍達100kHz~1.5MHz。此外，PN8081還集成了輸入欠壓保護、輸入過壓保護、最大限流保護、熱關斷功能、Vcc鉗位保護，可在故障發生時及時保護系統。[查看]

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PN7114是一款高壓、高速的功率MOSFET和IGBT驅動芯片，其具有獨立的高低側輸出通道。PN7114浮地通道能在600V的高壓下工作，可用于驅動N溝道功率MOSFET或IGBT構成的半橋拓撲結構。其輸入信號可以兼容CMOS和LSTTL信號，邏輯輸入電平低至3V。芯片良好的延時匹配功能可以輕松的適用于高頻應用場合。[查看]

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PN8213內部集成了電流模式控制器和高壓啟動模塊，專用于高性能的快速充電開關電源。PN8213根據輸入電壓、輸出電壓和負載自適應切換QR-Lock Mode、PFM和Burst Mode,多模式調制技術和特殊器件低功耗結構技術實現了全負載范圍內的高效率和低待機功耗，同時避免了開關變換器進入CCM模式工作，降低次級整流管的電壓應力。[查看]

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PN8273內部集成了電流模式控制器和高壓啟動模塊,專用于高性能、外圍元器件精簡的交直流轉換開關電源。該芯片通過PWM、PFM、Burst-mode的 三種模式混合調制技術和特殊器件低功耗結構技術實現了超低的待機功耗、全電壓范圍下的最佳效率。[查看]

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PN8580電源管理芯片集成低待機功耗準諧振原邊控制器及650V高雪崩能力功率MOSFET,用于高性能、外圍元器件精簡的充電器、適配器和內置電源。PN8580為原邊反饋工作模式，可 省略光耦和TL431。 在恒壓模式，采用準諧振與多模式技術提高效率并消除音頻噪聲,使得系統滿足6級能效標準，可調輸出線補償功能能使系統獲得較好的負載調整率;在恒流模式，輸 出電流和功率可通過Cs腳的電阻進行調節。該芯片提供了極為全面的智能保護功能，包含逐周期過流保護、過壓保護、開環保護、過溫保護、輸出短路保護和CS開路保護等。[查看]

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PN8039集成PFM控制器及650V高雪崩能力智能功率MOSFET，用于外圍元器件極精簡的小功率非隔離開關電源。PN8039內置高壓啟動模.塊，實現系統快速啟動、超低待機。該芯片提供了完整的智能化保護功能，包括過載保護、欠壓保護、過溫保護。另外PN8039的降頻調制技術有助于改善EMI特性。[查看]

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PN7922是-款隔離式雙通道柵極驅動芯片，該芯片可以作為大功率MOSFET和IGBT的驅動開關。PN7922每- -路至少提供4A拉電流和8A灌電流的峰值電流，并且具有較小的傳播延時和脈沖寬度失真。[查看]

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PN8058P集成PFM控制器及690V高雪崩能力智能功率MOSFET，用于外圍元器件極精簡的小功率非隔離開關電源。PN8058P內置 高壓啟動模塊,實現系統快速啟動、超低待機功能。該芯片提供了完整的智能化保護功能，包括過載保護，欠壓保護，過溫保護。另外PN8058P的降頻調制技術有助于改善EMI特性。[查看]

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PN7193是- -款單相半橋智能功率模塊，用于無刷電機驅動，模塊內部集成一- 顆智能HVIC和兩.顆低Rs(on)的FR-MOSFET。模塊采用CSOP10封裝，使用非常方便。輸入兼容CMOS和LSTTL信號，邏輯輸入電平兼容3..3V/5V/15V。模塊內置多種保護功能，包括電源欠壓保護、過流保護、過溫保護;模塊集成輸入信號互鎖、輸出死區、開-漏極輸出的FAULT和輸入的使能等功能。[查看]

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AP5056是一個完整的單片鋰離子電池恒流/恒壓線性電源管理芯片，其SOP/MSOP 封裝和較少的外圍元件非常適合應用于便攜式產品，而且 AP5056專門設計適用于USB的供電規格。基于內部MOSFET結構，不需要外部感應電阻和隔離二極管，當外部環境溫度過高或在大功率工作時，熱反饋可以調節充電電流以降低芯片溫度。充電電壓被固定在4.2V，充電電流可通過外部電阻設置。當充電電流在達到浮充電壓之后降至設定值 1/10 時，AP5056 將自動終止充電循環。 當輸入端（適配器或USB電源）拔掉后，AP5056自動進入低電流狀態，電池漏電流將降到2μA以下。 AP5056還可被設置于停機狀態，使電源電流降到50μA。 其余特性包括：電池溫度監測，欠壓鎖閉，自動再充電和兩個狀態引腳以顯示充電和充電終止。[查看]

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PN8505A基于高壓同步整流架構，集成PFM控制器以及550V高信賴性MOSFET，用于外圍元器件極精簡的小功率非隔離開關電源。PN8505A內置550V高壓啟動，實現系統快速啟動、待機功能。該芯片提供了完整的智能化保護功能，包括過流保護，欠壓保護，過溫保護。另外PN8505A具有優異的EMI特性。[查看]

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PN8275內部集成了電流模式控制器和啟動模塊，用于高性能、外圍元器件精簡的交直流轉換開關電源。該芯片通過QR-PWM、QR-PFM、Burst-mode的三種模式混合調制技術和特殊器件低功耗結構技術實現了的待機功耗、電壓范圍下的效率。頻率調制技術和SoftDriver技術充分保證系統的良好EMI表現。同時，PN8275還提供性能優異的智能化保護功能，包括輸入欠/過壓保護、X電容放電功能、輸出過壓保護、外部OTP保護、周期式過流保護、過載保護、軟啟動功能。[查看]

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AP8505M基于高壓同步整流架構，集成PFM控制器以及500V高信賴性MOSFET，用于外圍元器件極精簡的小功率非隔離開關電源。AP8505M內置500V高壓啟動，實現系統快速啟動、待機功能。該芯片提供了完整的智能化保護功能，包括過流保護，欠壓保護，過溫保護。另外AP8505M具有優異的EMI特性。[查看]

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PN8147H內部集成了脈寬調制控制器和功率MOSFET，用于高性能、外圍元器件精簡的交直流轉換開關電源。該芯片提供了性能優異的智能化保護功能，包括周期式過流保護（外部可調）、過載保護、過壓保護、CS短路保護、軟啟動功能。通過Hi-mode、Eco-mode、Burst-mode的三種脈沖功率調節模式混合技術和特殊器件低功耗結構技術實現了的待機功耗、電壓范圍下的效率。良好的EMI表現由頻率調制技術和Soft Driver技術充分保證。該芯片還內置智能高壓啟動模塊。[查看]

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AP2952A是一款單片同步整流降壓穩壓器，它集成了導通阻抗130m?的MOSFET，可以在很寬的輸入電壓范圍（4.75V-18V）內提供2A的負載能力。電流模式控制使其具有很好的瞬態響應和單周期內的限流功能。 可調的軟啟動時間能避免開啟瞬間的沖擊電流，在停機模式下，輸入電流小于1uA。 AP2952A封裝為SOP8-PP, 同時提供了緊湊的系統方案，可以限度的減少外圍元件。[查看]

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AP2961A是一款寬輸入范圍， CC/CV功能的降壓芯片，既可以CV（恒壓）輸出也可以CC（恒流）輸出。AP2961A可在125kHz的開關頻率下提供3A輸出電流。 AP2961A 不需要使用高成本的精密電流采樣電阻，非常適用于有精確恒流需求的電池和適配器應用場合。通過清除產生功耗的電流采樣電阻，AP2961A相比傳統恒流開關穩壓器擁有較高的轉換效率。 AP2961A提供了OVP引腳可實現過壓保護功能。 AP2961A 內部集成自適應柵極驅動，擁有 EMI 表現，在沒有附加外圍 EMI 器件的情形下仍可以通過 EN55022 Class B EMC 標準，這也進一步保證了高轉換效率。[查看]

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