非隔離待機(jī)功耗準(zhǔn)諧振原邊反饋交直流轉(zhuǎn)換器-PN8368

PN8368 集成待機(jī)功耗準(zhǔn)諧振原邊控制器及650V高雪崩能力智能功率MOSFET，用于高性能、外圍元器件精簡的充電 器、適配器和內(nèi)置電源。PN8370為原邊反饋工作模式，可省略光耦和TL431。內(nèi)置高壓啟動電路，可實現(xiàn)芯片空載損耗（230VAC ） 小于30mW。

原邊反饋機(jī)頂盒開關(guān)電源適配器電源芯片-PN8386

PN8386集成待機(jī)功耗準(zhǔn)諧振原邊控制器及650V高雪崩能力功率MOSFET,用于高性能、外圍元器件精簡的充電器、適配器和內(nèi)置電源。PN8386為原邊反饋工作模式，可省略光耦和TL431。

芯朋微電子原廠反饋電源管理芯片-PN8358

PN8358包括高精度的恒壓、恒流原邊控制器及功率MOSFET，用于高性能、外圍元器件精簡的充電器和LED照明。PN8358工作在原邊檢測模式，可省略光耦和TL431。該芯片提供的自恢復(fù)保護(hù)功能，包含逐周期過流保護(hù)、過壓保護(hù)、開環(huán)保護(hù)、過溫保護(hù)、輸出短路保護(hù)和CS電阻開/短路保護(hù)等。內(nèi)置啟動電路和極低的芯片工...

芯朋微12W原邊反饋電源管理芯片-PN8360

PN8360包括高精度的恒壓、恒流原邊控制器及功率MOSFET，用于高性能、外圍元器件精簡的充電器和LED照明。 PN8360工作在原邊檢測模式，可省略光耦和TL431。該芯片提供的自恢復(fù)保護(hù)功能，包含逐周期過流保護(hù)、過壓保護(hù)、開環(huán)保護(hù)、過溫保護(hù)、輸出短路保護(hù)和CS開/短路保護(hù)等。

芯朋微代理六級能效原邊反饋電源管理芯片-PN8580

PN8580電源管理芯片集成低待機(jī)功耗準(zhǔn)諧振原邊控制器及650V高雪崩能力功率MOSFET,用于高性能、外圍元器件精簡的充電器、適配器和內(nèi)置電源。PN8580為原邊反饋工作模式，可 省略光耦和TL431。 在恒壓模式，采用準(zhǔn)諧振與多模式技術(shù)提高效率并消除音頻噪聲,使得系統(tǒng)滿足6級能效標(biāo)準(zhǔn)，可調(diào)輸出線補(bǔ)償...

內(nèi)置BJT六級能效準(zhǔn)諧振原邊反饋 交直流電源管理芯片-PN8570

PN8570電源管理芯片集成低待機(jī)功耗準(zhǔn)諧振原邊控制器及BJT，用于低成本、外圍元器件精簡的充電器、適配器和內(nèi)置電源。PN8570為原邊反饋工作模式，可省略光耦和TL431。在恒壓 模式，采用準(zhǔn)諧振與多模式技術(shù)提高效率并消除音頻噪聲，使得系統(tǒng)滿足6級能效標(biāo)準(zhǔn)，可調(diào)輸出線補(bǔ)償功能能使系統(tǒng)獲得較好的負(fù)載調(diào)整...

15W超低待機(jī)功耗隔離原邊反饋電源管理芯片-PN8680P

PN8680P電源管理芯片集成超低待機(jī)功耗原邊控制器及650V高雪崩能力智能功率MOSFET，用于高性能、外圍元器件精簡的充電器、適配器和內(nèi)置電源。PN8680P為原邊反饋工作模式，可省略光耦和TL431。內(nèi)置高壓啟動電路，可實現(xiàn)芯片空載損耗（230VAC）小于50mW。

芯朋微超低待機(jī)功耗原邊反饋24W電源管理芯片-PN6795C

PN6795C電源管理芯片集成超低待機(jī)功耗準(zhǔn)諧振原邊控制器及650V高雪崩能力智能功率MOSFET，用于高性能、外圍元器件精簡的充電器、適配器和內(nèi)置電源。PN6795C為原邊反饋工作模式，可省略光耦和TL431，支持CCM和DCM兩種工作模式。

芯朋微代理隔離式雙通道柵極電機(jī)驅(qū)動芯片-PN7922

PN7922是-款隔離式雙通道柵極驅(qū)動芯片，該芯片可以作為大功率MOSFET和IGBT的驅(qū)動開關(guān)。PN7922每- -路至少提供4A拉電流和8A灌電流的峰值電流，并且具有較小的傳播延時和脈沖寬度失真。

芯朋微電子一級代理商隔離式單通道柵極驅(qū)動芯片-PN7901

PN7901是-款隔離式單通道柵極驅(qū)動芯片，該芯片可以作為大功率MOSFET和IGBT的驅(qū)動開關(guān)。PN7901至少提供5A的隔離輸出電流，井且具有較小的傳播延時和脈沖寬度失真。輸入邏輯控制管腳IN+和IN-能夠在3V到20V的寬輸入電壓范圍內(nèi)工作，兼容3.3V和5V的信號控制。

電流模式PWM開關(guān)電源控制芯片–AP8262

AP8262是一款高性能電流模式PWM開關(guān)電源控制器，適用于固定頻率電流模式控制架構(gòu)的離線開關(guān)電源和DC-DC開關(guān)電源應(yīng)用。芯片內(nèi)部電路集成了基準(zhǔn)電壓源、頻率外部設(shè)置的振蕩器、高增益的誤差放大器、用于提供逐周期電流限制的PWM比較器、大電流圖騰柱式輸出驅(qū)動，以及芯片的輸入電壓和參考電壓的鎖存邏輯。AP8262...

支持CCM模式準(zhǔn)諧振原邊反饋交直流轉(zhuǎn)換器--PN8390

PN8390集成待機(jī)功耗準(zhǔn)諧振原邊控制器及650V高雪崩能力智能功率 MOSFET，用于高性能、外圍元器件精簡的充電器、適配器和內(nèi)置 電源。PN8390為原邊反饋工作模式，可省略光耦和TL431，支持CCM和DCM兩種工作模式。內(nèi)置高壓啟動電路，可實現(xiàn)系統(tǒng)空載待機(jī)損耗（230VAC）小于50mW。在恒壓模式...

芯朋微12V1A適配器電源控制芯片--PN8370F

PN8370F集成待機(jī)功耗準(zhǔn)諧振原邊控制器及650V高雪崩能力智能功率MOSFET，用于性能高、外圍元器件精簡的充電器、適配器和內(nèi)置電源。PN8370F為原邊反饋工作模式，可省略光耦和TL431。內(nèi)置啟動電路，可實現(xiàn)芯片空載損耗（230VAC）小于30mW。在恒壓模式，采用準(zhǔn)諧振與多模式技術(shù)音頻噪聲，使得系統(tǒng)...

無錫芯朋微深圳代理原廠反饋電源管理芯片--PN6780H

PN6780H集成待機(jī)功耗原邊控制器及750V高雪崩能力智能功率MOSFET，用于高性能、外圍元器件精簡的充電器、適配器和內(nèi)置電源。PN6780H為原邊反饋工作模式，可省略光耦和TL431。內(nèi)置高壓啟動電路，可實現(xiàn)芯片空載損耗（230VAC）小于50mW。在恒壓模式，采用多模式技術(shù)音頻噪聲，使得系統(tǒng)滿足6級能...

芯朋微電子代理原邊反饋800V耐壓交直流電源管理芯片--PN6775H

PN6775H集成待機(jī)功耗原邊控制器及高雪崩能力智能功率MOSFET，用于高性能、外圍元器件精簡的充電器、適配器和內(nèi)置電源。PN6775H為原邊反饋工作模式，可省略光耦和TL431。內(nèi)置啟動電路，可實現(xiàn)芯片空載損耗（230VAC）小于50mW。在恒壓模式，采用多模式技術(shù)音頻噪聲，使得系統(tǒng)滿足6級能效標(biāo)準(zhǔn)，可調(diào)...

芯朋微授權(quán)代理6W超低待機(jī)功耗電源控制芯片--PN6775

PN6775集成待機(jī)功耗原邊控制器及高雪崩能力智能功率MOSFET，用于高性能、外圍元器件精簡的充電器、適配器和內(nèi)置電源。PN6775為原邊反饋工作模式，可省略光耦和TL431。內(nèi)置高壓啟動電路，可實現(xiàn)芯片空載損耗（230VAC）小于50mW。在恒壓模式，采用多模式技術(shù)音頻噪聲，使得系統(tǒng)滿足6級能效標(biāo)準(zhǔn)，可調(diào)...

內(nèi)置700V高雪崩能力智能功率MOSFET--PN6013

PN6013集成待機(jī)功耗準(zhǔn)諧振原邊控制器及高雪崩能力智能功率MOSFET，用于高性能、外圍元器件精簡的充電器、適配器和內(nèi)置電源。PN6013為原邊反饋工作模式，可省略光耦和TL431。內(nèi)置高壓啟動電路，可實現(xiàn)芯片空載損耗（230VAC）小于50mW。在恒壓模式，采用準(zhǔn)諧振與多模式技術(shù)清除音頻噪聲，使得系統(tǒng)滿足...

12W待機(jī)功耗原邊反饋交直流電源管理芯片--PN8680M

PN8680M集成待機(jī)功耗原邊控制器及650V高雪崩能力智能功率MOSFET，用于高性能、外圍元器件精簡的充電器、適配器和內(nèi)置電源。PN8680M為原邊反饋工作模式，可省略光耦和TL431。內(nèi)置啟動電路，可實現(xiàn)芯片空載損耗（230VAC）小于50mW。在恒壓模式，采用多模式技術(shù)清除音頻噪聲，使得系統(tǒng)滿足6級能...

高精度的恒壓、恒流原邊控制器及功率MOSFET--PN8360P

PN8360P包括高精度的恒壓、恒流原邊控制器及功率MOSFET，用于高性能、外圍元器件精簡的充電器和LED照明。 PN8360P工作在原邊檢測模式，可省略光耦和TL431。該芯片提供的自恢復(fù)保護(hù)功能，包含逐周期過流保護(hù)、過壓保護(hù)、開環(huán)保護(hù)、過溫保護(hù)、輸出短路保護(hù)和CS電阻開/短路保護(hù)等。內(nèi)置啟動電路和芯片...

650V原邊反饋交直流轉(zhuǎn)換器--PN8386P

PN8386P集成待機(jī)功耗準(zhǔn)諧振原邊控制器及650V高雪崩能力智能功率MOSFET，用于高性能、外圍元器件精簡的充電器、適配器和內(nèi)置電源。PN8386P為原邊反饋工作模式，可省略光耦和TL431。內(nèi)置高壓啟動電路，可實現(xiàn)芯片空載損耗（264VAC）小于50mW。在恒壓模式，采用準(zhǔn)諧振與多模式技術(shù)清除音頻噪聲，...