7A, 650V超結(jié)MOS功率管-SVS7N65F/D/MJ

SVS7N65F/D/MJ N溝道增強(qiáng)型高壓功率MOSFET采用士蘭微電子超結(jié)MOS技術(shù)平臺(tái)制造，具有很低的傳導(dǎo)損耗和開(kāi)關(guān)損耗。使得功率轉(zhuǎn)換器具有高效，高功率密度，提高熱行為。此外，SVS7N65F應(yīng)用廣泛。如，適用于硬/軟開(kāi)關(guān)拓?fù)洹?

83A, 600V超結(jié)MOS功率管-SVSP60R033P7HD4

SVSP60R033P7HD4 N 溝道增強(qiáng)型高壓功率MOSFET采用士蘭微電子超結(jié)MOS技術(shù)制造，具有很低的傳導(dǎo)損耗和開(kāi)關(guān)損耗，使得功率轉(zhuǎn)換器具有高效，高功率密度，提高熱行為。此外，SVSP60R033P7HD4 應(yīng)用廣泛。如，適用于硬/軟開(kāi)關(guān)拓?fù)洹?

14A、100V N溝道增強(qiáng)型場(chǎng)效應(yīng)管-SVT10111ND

SVT10111ND N 溝道增強(qiáng)型功率MOS場(chǎng)效應(yīng)晶體管采用士蘭LVMOS工藝技術(shù)制造。先進(jìn)的工藝及元胞結(jié)構(gòu)使得該產(chǎn)品具有較低的導(dǎo)通電阻、優(yōu)越的開(kāi)關(guān)性能及很高的雪崩擊穿耐量。該產(chǎn)品可廣泛應(yīng)用于不間斷電源及逆變器系統(tǒng)的電源管理領(lǐng)域。

80A、60V N溝道增強(qiáng)型場(chǎng)效應(yīng)管-SVT068R5NT/D/S/L5

SVT068R5NT/D/S/L5 N溝道增強(qiáng)型功率MOS場(chǎng)效應(yīng)晶體管采用先進(jìn)的LVMOS工藝技術(shù)制造。先進(jìn)的工藝及元胞結(jié)構(gòu)使得該產(chǎn)品具有較低的導(dǎo)通電阻、優(yōu)越的開(kāi)關(guān)性能及很高的雪崩擊穿耐量。該產(chǎn)品可廣泛應(yīng)用于不間斷電源及逆變器系統(tǒng)電源管理。

60A、30V N溝道增強(qiáng)型場(chǎng)效應(yīng)管-SVT03100NDN

SVT03100NDN溝道增強(qiáng)型功率MOS場(chǎng)效應(yīng)晶體管采用士蘭的LVMOS工藝技術(shù)制造。先進(jìn)的工藝及元胞結(jié)構(gòu)使得該產(chǎn)品具有較低的導(dǎo)通電阻、優(yōu)越的開(kāi)關(guān)性能及很高的雪崩擊穿耐量。該產(chǎn)品可廣泛應(yīng)用于不間斷電源及逆變器系統(tǒng)的電源管理領(lǐng)域。

100A、30V N溝道增強(qiáng)型場(chǎng)效應(yīng)管-SVT035R5ND

SVT035R5ND(MJ)(T) N溝道增強(qiáng)型功率MOS場(chǎng)效應(yīng)晶體管采用士蘭的LVMOS工藝技術(shù)制造。先進(jìn)的工藝及元胞結(jié)構(gòu)使得該產(chǎn)品具有較低的導(dǎo)通電阻、優(yōu)越的開(kāi)關(guān)性能及很高的雪崩擊穿耐量。該產(chǎn)品可廣泛應(yīng)用于不間斷電源及逆變器系統(tǒng)的電源管理領(lǐng)域。

120A、30V N溝道增強(qiáng)型場(chǎng)效應(yīng)管-SVT034R6ND(T)

SVT034R6ND(T) N 溝道增強(qiáng)型功率MOS場(chǎng)效應(yīng)晶體管采用士蘭的LVMOS工藝技術(shù)制造。先進(jìn)的工藝及元胞結(jié)構(gòu)使得該產(chǎn)品具有較低的導(dǎo)通電阻、優(yōu)越的開(kāi)關(guān)性能及很高的雪崩擊穿耐量。該產(chǎn)品可廣泛應(yīng)用于不間斷電源及逆變器系統(tǒng)的電源管理領(lǐng)域。

士蘭微代理180A、100V N溝道增強(qiáng)型場(chǎng)效應(yīng)管SVGP103R0NT(P7)

SVGP103R0NT(P7) N 溝道增強(qiáng)型功率 MOS 場(chǎng)效應(yīng)晶體管采用 士蘭的 LVMOS 工藝技術(shù)制造。先進(jìn)的工藝及元胞結(jié)構(gòu)使得該產(chǎn)品具有 較低的導(dǎo)通電阻、優(yōu)越的開(kāi)關(guān)性能及很高的雪崩擊穿耐量。 該產(chǎn)品可廣泛應(yīng)用于不間斷電源及逆變器系統(tǒng)的電源管理領(lǐng)域。

士蘭微代理商240A、150V N溝道增強(qiáng)型場(chǎng)效應(yīng)管-SVGP153R8NP7

SVGP153R8NP7 N 溝道增強(qiáng)型功率MOS場(chǎng)效應(yīng)晶體管采用士蘭的LVMOS工藝技術(shù)制造。先進(jìn)的工藝及元胞結(jié)構(gòu)使得該產(chǎn)品具有較低的導(dǎo)通電阻、優(yōu)越的開(kāi)關(guān)性能及很高的雪崩擊穿耐量。該產(chǎn)品可廣泛應(yīng)用于不間斷電源及逆變器系統(tǒng)的電源管理領(lǐng)域。

士蘭微代理商120A、80V N溝道增強(qiáng)型場(chǎng)效應(yīng)管-SVG083R4NT(S)(P7)

SVG083R4NT(S)(P7) N溝道增強(qiáng)型功率MOS場(chǎng)效應(yīng)晶體管采用士蘭的LVMOS工藝技術(shù)制造。先進(jìn)的工藝及元胞結(jié)構(gòu)使得該產(chǎn)品具有較低的導(dǎo)通電阻、優(yōu)越的開(kāi)關(guān)性能及很高的雪崩擊穿耐量。該產(chǎn)品可廣泛應(yīng)用于不間斷電源及逆變器系統(tǒng)的電源管理領(lǐng)域。

士蘭微代理商305A、100V N溝道增強(qiáng)型場(chǎng)效應(yīng)管-SVGP101R8NP7-2HS

SVGP101R8NP7-2HS N溝道增強(qiáng)型功率MOS場(chǎng)效應(yīng)晶體管采用士蘭的LVMOS工藝技術(shù)制造。先進(jìn)的工藝及元胞結(jié)構(gòu)使得該產(chǎn)品具有較低的導(dǎo)通電阻、優(yōu)越的開(kāi)關(guān)性能及很高的雪崩擊穿耐量。該產(chǎn)品可廣泛應(yīng)用于不間斷電源及逆變器系統(tǒng)的電源管理領(lǐng)域。

40A, 600V絕緣柵雙極型晶體管SGT40N60FD1P7-IGBT模塊

SGT40N60FD1P7絕緣柵雙極型晶體管采用穿通工藝制作,具有低的導(dǎo)通損耗和開(kāi)關(guān)損耗，正溫度系數(shù)易于并聯(lián)應(yīng)用等特點(diǎn)。該產(chǎn)品可應(yīng).用于感應(yīng)加熱UPS，SMPS以及PFC等領(lǐng)域。

40A, 600V絕緣柵雙極型晶體管SGT40N60F2P7-IGBT模塊

SGT40N60F2P7絕緣柵雙極型晶體管采用士蘭微電子第二代場(chǎng)截止(Field Stop II)工藝制作，具有低的導(dǎo)通損耗和開(kāi)關(guān)損耗，正溫度系數(shù)易于并聯(lián)應(yīng)用等特點(diǎn)。該產(chǎn)品可應(yīng)用于感應(yīng)加熱UPS，SMPS以及PFC等領(lǐng)域。

40A, 600V絕緣柵雙極型晶體管SGT40N60FD2PN-IGBT模塊

SGT40N60FD2PN(P7)(PT)絕緣柵雙極型晶體管采用士蘭微電子第三代場(chǎng)截止( Field Stop II)工藝制作，具有低的導(dǎo)通損耗和開(kāi)關(guān)損耗，正溫度系數(shù)易于并聯(lián)應(yīng)用等特點(diǎn)。該產(chǎn)品可應(yīng)用于感應(yīng)加熱UPS,SMPS以及PFC等領(lǐng)域。

士蘭微160A、650V絕緣柵雙極型晶體管SGT160V65S1PW-IGBT模塊

SGT160V65S1PW絕緣柵雙極型晶體管采用士蘭微電子第五代場(chǎng)截止（Field Stop 5）工藝制作，具有較低的導(dǎo)通損耗和開(kāi)關(guān)損耗，該產(chǎn)品可應(yīng)用于車(chē)驅(qū)，UPS，SMPS等領(lǐng)域。

士蘭微代理商40A、1200V絕緣柵雙極型晶體管SGTP40V120FDB2P7-IGBT模塊

SGTP40V120FDB2P7絕緣柵雙極型晶體管采用士蘭微電子第五代場(chǎng)截止(Field Stop 5)工藝制作，具有較低的導(dǎo)通損耗和開(kāi)關(guān)損耗，該產(chǎn)品可應(yīng)用于光伏，UPS，SMPS以及PFC等領(lǐng)域。

士蘭微代理商60A、650V絕緣柵雙極型晶體管SGT60U65FD1PN(PT)(P7)-IGBT模塊

SGT60U65FD1PN(PT)(P7)絕緣柵雙極型晶體管采用士蘭微電子場(chǎng)截止4 Plus (Field Stop IV+)工藝制作，具有較低的導(dǎo)通損耗和開(kāi)關(guān)損耗, .該產(chǎn)品可應(yīng)用于UPS，SMPS以及PFC等領(lǐng)域。

士蘭微代理商25A、1200V絕緣柵雙極型晶體管SGT25U120FD1P7-IGBT單管

SGT25U120FD1P7絕緣柵雙極型晶體管采用士蘭微電子場(chǎng)截止4Plus (Field Stop IV+)工藝制作，具有較低的導(dǎo)通損耗和開(kāi)關(guān)損耗，該產(chǎn)品可應(yīng)用于UPS, SMPS以及PFC等領(lǐng)域。

士蘭微代理商75A、650V絕緣柵雙極型晶體管SGT75T65SDM1P7-IGBT模塊

SGT75T65SDM1P7 絕緣柵雙極型晶體管采用士蘭微電子第三代場(chǎng)截 止（Field Stop III）工藝制作，具有較低的導(dǎo)通損耗和開(kāi)關(guān)損耗，該產(chǎn)品可 應(yīng)用于 UPS，SMPS 以及 PFC 等領(lǐng)域。

士蘭微代理商50A、650V絕緣柵雙極型晶體管SGT50T65SDM1P7-IGBT模塊

SGT50T65SDM1P7絕緣柵雙極型晶體管采用士蘭微電子第三代場(chǎng)截止(Field Stop I)工藝制作，具有較低的導(dǎo)通損耗和開(kāi)關(guān)損耗，該產(chǎn)品可應(yīng)用于UPS，SMPS以及PFC等領(lǐng)域。