超低待機功耗的交直流轉(zhuǎn)換電源管理芯片-PN6360H

PN6360H集成PFM控制器及800V高雪崩能力智能功率MOSFET，用于外圍元器件精簡的非隔離開關(guān)電源，輸出電壓可通過FB電阻調(diào)整，PN6360H內(nèi)置高壓啟動模塊，實現(xiàn)系統(tǒng)快速啟動、超低待機、自供電功能。該芯片提供了完整的智能化保護功能，包括過載保護，欠壓保護，過溫保護。

芯朋微非隔離電源管理芯片-PN8018電源驅(qū)動芯片

PN8018電源管理芯片集成PFM控制器及650V高雪崩能力智能功率MOSFET，用于外圍元器件極精簡的小功率非隔離開關(guān)電源。PN8018內(nèi)置高壓啟動模塊，實現(xiàn)系統(tǒng)快速啟動、超低待機 功能。PN8018電源管理芯片提供了完整的智能化保護功能，包括過載保護，欠壓保護，過溫保護。另外PN8018的降頻調(diào)制技...

芯朋微12V0.45A非隔離電源管理芯片-PN8035

PN8035集成PFM控制器及650V高雪崩能力智能功率MOSFET，用于外圍元器件極精簡的小功率非隔離開關(guān)電源。PN8035內(nèi)置高壓啟動模塊，實現(xiàn)系統(tǒng)快速啟動、超低待機功能。該芯片提供了完整的智能化保護功能，包括過載保護，欠壓保護，過溫保護。另外PN8035的降頻調(diào)制技術(shù)有助于改善EMI特性。

固定5V500mA輸出非隔離電源管理芯片-PN8009

PN8009電源管理芯片集成PFM控制器及650V高可靠性MOSFET，用于外圍元器件極精簡的小功率非隔離開關(guān)電源。PN8009內(nèi)置650V高壓啟動，實現(xiàn)系統(tǒng)快速啟動、超低待機功能。該芯片提供了完整的智能化保護功能，包括過載保護，欠壓保護，過溫保護。另外PN8009電源管理芯片具有優(yōu)異的EMI特性。

芯朋微代理12V0.7A非隔離電源管理芯片-PN8039

PN8039集成PFM控制器及650V高雪崩能力智能功率MOSFET，用于外圍元器件極精簡的小功率非隔離開關(guān)電源。PN8039內(nèi)置高壓啟動模.塊，實現(xiàn)系統(tǒng)快速啟動、超低待機。該芯片提供了完整的智能化保護功能，包括過載保護、欠壓保護、過溫保護。另外PN8039的降頻調(diào)制技術(shù)有助于改善EMI特性。

芯朋微代理高性能非隔離交直流轉(zhuǎn)換電源管理芯片–PN8058P

PN8058P集成PFM控制器及690V高雪崩能力智能功率MOSFET，用于外圍元器件極精簡的小功率非隔離開關(guān)電源。PN8058P內(nèi)置 高壓啟動模塊,實現(xiàn)系統(tǒng)快速啟動、超低待機功能。該芯片提供了完整的智能化保護功能，包括過載保護，欠壓保護，過溫保護。另外PN8058P的降頻調(diào)制技術(shù)有助于改善EMI特性。

高性能非隔離交直流轉(zhuǎn)換電源管理芯片–PN8054E

PN8054E集成PFM控制器及670V高雪崩能力智能功率MOSFET，用于外圍元器件極精簡的小功率非隔離開關(guān)電源。PN8054E內(nèi)置高壓啟動模塊，實現(xiàn)系統(tǒng)快速啟動、超低待機功能。該芯片提供了完整的智能化保護功能，包括過載保護，欠壓保護，過溫保護。另外PN8054E的降頻調(diào)制技術(shù)有助于改善EMI特性。

芯朋微固定5V450mA非隔離電源管理驅(qū)動芯片PN555MSE-B1

PN555M集成PFM控制器及650V高可靠性MOSFET，用于外圍元器件極精簡的小功率非隔離開關(guān)電源。PN555M內(nèi)置650V高壓啟動，實現(xiàn)系統(tǒng)快速啟動、超低待機功能。該芯片提供了完整的智能化保護功能，包括過載保護，欠壓保護，過溫保護。另外PN555M具有優(yōu)異的EMI特性。

芯朋微電子代理商PN3746NE-A1 DIP8 適用于18V輸出非隔離電源芯片

PN3746集成PFM控制器及650V高雪崩能力智能功率MOSFET，用丁外圍元器件極精簡的小功率作隔離開關(guān)電源，PN3746內(nèi)置650V高壓啟動模塊，實現(xiàn)系統(tǒng)快速啟動、超低待機功能。該芯片提供了完整的智能化保護功能，包括過載保護，欠壓保護，過溫保護。另外PN3746的降頻調(diào)制技術(shù)有叫于改善EMI特性。

芯朋微電子代理商PN3744NE-A1 DIP8 適用于18V輸出非隔離電源芯片

PN3744集成PFM控制器及650V高雪崩能力智能功率MOSFET，用于外圍元器件極精簡的小功率非隔離開關(guān)電源。PN3744內(nèi)置650V高壓啟動模塊，實現(xiàn)系統(tǒng)快速啟動、超低待機功能。該芯片提供了完整的智能化保護功能，包括過載保護，欠壓保護，過溫保護。另外PN3744的降頻調(diào)制技術(shù)有助于改善EMI特性。

芯朋微代理商12V輸出非隔離電源芯片PN3736NS-A1

芯朋微代理商12V輸出非隔離電源芯片PN3734NS-A1

PN3734集成PFM控制器及650V高雪崩能力智能功率MOSFET，用丁外圍元器件極精簡的小功率非隔離開關(guān)電源。PN3734內(nèi)置高壓啟動模塊，實現(xiàn)系統(tǒng)快速啟動、超低待機功能。該芯片提供了完整的智能化保護功能，包括過載保護，欠壓保護，過溫保護。另外PN3734的降頻調(diào)制技術(shù)有助丁改善EMI特性。

固定5V輸出非隔離電源管理芯片-AP8002

AP8002電源管理芯片集成PFM控制器及730V高可靠性MOSFET，用于外圍元器件極精簡的小功率非隔離開關(guān)電源。AP8002內(nèi)置730V高壓啟動，實現(xiàn)系統(tǒng)快速啟動、超低待機功能。該芯片提供了完整的智能化保護功能，包括過載保護，逐周期過流保護，過溫保護。另外AP8002具有優(yōu)異的EMI特性。

芯朋代理非隔離交直流電源管理芯片--PN8032

PN8032集成PFM控制器及600V高雪崩能力智能功率MOSFET，用于外圍元器件極精簡的小功率非隔離開關(guān)電源。PN8032內(nèi)置600V高壓啟動模塊，實現(xiàn)系統(tǒng)快速啟動、超低待機功能。該芯片提供了完整的智能化保護功能，包括過載保護，過溫保護。另外PN8032的降頻調(diào)制技術(shù)有助于改善EMI特性

芯朋微低待機功耗BUCK專用開關(guān)電源芯片-AP8011

AP8011芯片內(nèi)部集成了脈寬調(diào)制控制器和功率MOSFET，專用于Buck式結(jié)構(gòu)開關(guān)電源。該芯片提供了完整的智能化保護功能，包括過流保護、過壓保護、過溫保護、電源欠壓鎖定功能。間歇工作模式能夠降低系統(tǒng)處于待機模式時的功耗。該芯片還內(nèi)置高壓啟動模塊，保證系統(tǒng)能迅速啟動。

同步整流架構(gòu)固定5V輸出的非隔離交直流轉(zhuǎn)換芯片--AP8504

AP8504基于高ya同步整流架構(gòu)，集成PFM控制器以及650V高可靠性MOSFET，用于外圍元器件的小功率非隔離開關(guān)電源。AP8504內(nèi)置650V高ya啟動，實現(xiàn)系統(tǒng)迅速啟動、低待機功能。該芯片提供了完整的智能化保護功能，包括過流保護，欠壓保護，過溫保護。另外AP8504具有EMI特性。

內(nèi)置650V小功率非隔離電源管理芯片-PN8008

PN8008集成PFM控制器及650V高可靠性MOSFET，用于外圍元器件極精簡的小功率非隔離開關(guān)電源.PN8008內(nèi)置650V高壓啟動，實現(xiàn)系統(tǒng)啟動、待機功能。該芯片提供了智能化保護功能，包括過載保護，欠壓保護，過溫保護。另外PN8008具有優(yōu)異的EMI特性。

芯朋微外圍元器件精簡,非隔離交直流電源管理芯片--PN8043

PN8043集成PFM控制器及650V高雪崩能力智能功率MOSFET，用于外圍元器件較簡的小功率非隔離開關(guān)電源。PN8043內(nèi)置高壓啟動模塊，實現(xiàn)系統(tǒng)啟動、待機功能。該芯片提供保護功能，包括過載保護，欠壓保護，過溫保護。另外PN8043的降頻調(diào)制技術(shù)有助于EMI特性。(注：可替代進口品牌OB,替代型號：OB2...

芯朋微授權(quán)代理商外圍元器較簡,小功率非隔離開關(guān)電源芯片--AP8506

AP8506基于高壓同步整流架構(gòu)，集成PFM控制器以及650V可靠性MOSFET，用于外圍元器件精簡的小功率非隔離開關(guān)電源。AP8506內(nèi)置650V高壓啟動，實現(xiàn)系統(tǒng)快速啟動、待機功能。該芯片提供了智能化保護功能，包括過流保護，欠壓保護，過溫保護。另外AP8506具有優(yōu)異的EMI特性。

芯朋微低待機功能,非隔離交直流電源控制芯片--PN8045

PN8045集成PFM控制器及650V高雪崩能力智能功率MOSFET，用于外圍元器件較簡的小功率非隔離開關(guān)電源。PN8045內(nèi)置啟動模塊，實現(xiàn)系統(tǒng)啟動、待機功能。該芯片提供了智能化保護功能，包括過載保護，欠壓保護，過溫保護。另外PN8045的降頻調(diào)制技術(shù)有助于EMI特性。