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國硅300V單通道高側驅動芯片NSG21281可替代IR2128 用于電機控制
國硅300V單通道高側驅動芯片NSG21281可替代IR2128 用于電機控制
NSG21281是一組帶過流檢測的高電壓、高速單通道高側MOSFET/IGBT驅動芯片。NSG21281采用高低壓兼容工藝使得高側柵驅動電路單芯片集成,邏輯輸入電平兼容低至3.3V的CMOS或LSTTL邏輯輸出電平。內置高側過流保護電路,當檢測到過流狀態時,關斷芯片輸出,同時,一個漏極開路的FAULT端口輸出...
國硅集成700V、4A全橋柵極驅動芯片NSG2113直接替代IR2110S
國硅集成700V、4A全橋柵極驅動芯片NSG2113直接替代IR2110S
NSG2113是一款高壓、高速功率MOSFET高低側驅動芯片,采用高低壓兼容工藝使得高、低側柵驅動電路可以單芯片集成。具有獨立的高、低側傳輸通道NSG2113的邏輯輸入電平兼容低至3.3V的CMOS或LSTTL邏輯輸出電平,輸出具有大電流脈沖能力,其浮動通道可用于驅動高壓側N溝道功率MOSFET,浮地通道最高...
國硅集成代理商單相高低側功率隔離柵極驅動芯片NSG2005
國硅集成代理商單相高低側功率隔離柵極驅動芯片NSG2005
NSG2005 是一款高壓、高速功率MOSFET高低側驅 動芯片。具有獨立的高側和低側參考輸出通道。 NSG2005采用高低壓兼容工藝使得高、低側柵驅動電 路可以單芯片集成,邏輯輸入電平兼容低至3.3V的 CMOS或LSTTL邏輯輸出電平,輸出具有大電流脈沖 能力。NSG2005其浮動通道可用于驅動...
250V1.2A單相高低側功率柵極驅動芯片G2021應用于微型逆變器驅動
250V1.2A單相高低側功率柵極驅動芯片G2021應用于微型逆變器驅動
G2021是一組高壓、高速功率MOSFET高低側驅動芯片。具有獨立的高側和低側參考輸出通道。G2021采用高低壓兼容工藝使得高、低側柵驅動電路可以單芯片集成,邏輯輸入電平兼容低至3.3V的CMOS或LSTTL 邏輯輸出電平,輸出具有大電流脈沖能力和防直通的死區邏輯。G2021其浮動通道可用于驅動高壓側N溝道功...
國硅代理商250V1.2A單相高低側功率G2020柵極驅動ic應用電機控制
國硅代理商250V1.2A單相高低側功率G2020柵極驅動ic應用電機控制
G2020是一款高壓、高速功率MOSFET高低側驅動芯片。具有獨立的高側和低側參考輸出通道。G2020采用高低壓兼容工藝使得高、低側柵驅動電路可以單芯片集成,邏輯輸入電平兼容低至3.3V的CMOS或LSTTL 邏輯輸出電平,輸出具有大電流脈沖能力和防直通的死區邏輯。G2020其浮動通道可用于驅動高壓側N溝道功...
國硅集成700V大電流高側柵極驅動芯片NSG21851應用空調/洗衣機控制
國硅集成700V大電流高側柵極驅動芯片NSG21851應用空調/洗衣機控制
NSG21851是一款高壓、高速功率MOSFET/IGBT高側驅動芯片。內部集成了高側欠壓鎖定電路、過壓鉗位電路等保護電路,具備大電流脈沖輸出能力,邏輯輸入電平兼容低至3.3V的CMOS或LSTTL邏輯輸出電平,輸出電流能力最大可達4A,其浮地通道最高工作電壓可達700V。可用于驅動N溝道高壓功率MOSFET...
國硅集成代理商單相高側功率柵極驅動芯片NSG2117應用逆變器驅動
國硅集成代理商單相高側功率柵極驅動芯片NSG2117應用逆變器驅動
NSG2117是一款高壓、高速功率MOSFET高側驅動芯片。NSG2117邏輯輸入電平兼容低至3.3V的CMOS或LSTTL邏輯輸出電平。NSG2117其浮動通道可用于驅動高壓側N溝道功率MOSFET,浮地通道最高工作電壓可達700V。NSG2117采用SOP8封裝,可以在-40°℃至125℃溫度范圍內工作。
國硅集成300V單通道高側隔離柵極驅動芯片NSG2127應用于電動汽車快速充電
國硅集成300V單通道高側隔離柵極驅動芯片NSG2127應用于電動汽車快速充電
NSG2127是一組帶過流檢測的高電壓、高速單通道高 側MOSFET/IGBT驅動芯片。NSG2127采用高低壓兼 容工藝使得高側柵驅動電路單芯片集成,邏輯輸入電平兼容低至3.3V的CMOS或LSTTL邏輯輸出電平。內置高側過流保護電路,當檢測到過流狀態時,關斷芯片輸出,同時,一個漏極開路的FAULT端口輸出...
國硅集成三相半橋柵極驅動芯片NSG2136應用微型逆變器驅動
國硅集成三相半橋柵極驅動芯片NSG2136應用微型逆變器驅動
NSG2136是N型高壓、高速功率MOSFET/IGBT高低側三相柵極驅動芯片,包含三路獨立的半橋驅動電路。內部集成了欠壓保護和過流保護功能,出現異常時立即關斷六通道輸出。提供外部使能控制可同時關斷六通道輸出。通過連接到RCIN輸入的RC網絡在外部編程延時后,過電流故障情況自動清除。NSG2136集成有自舉二...
國硅集成代理商高壓半橋式柵極驅動芯片NSG27710
國硅集成代理商高壓半橋式柵極驅動芯片NSG27710
NSG27710是一款高壓、高速功率MOSFET高低側驅動芯片。具有獨立的高側和低側參考輸出通道。NSG27710采用高低壓兼容工藝使得高、低側柵驅動電路可以單芯片集成,邏輯輸入電平兼容低至3.3V的CMOS或LSTTL邏輯輸出電平。NSG27710其浮動通道可用于驅動高壓側N溝道功率MOSFET,浮地通道最...
國硅集成雙通道2A超高速柵極驅動IC-NSG4427
國硅集成雙通道2A超高速柵極驅動IC-NSG4427
NSG4427是功率開關系列驅動器。在對功率開關的柵極進行充電和放電時,它具有匹配的上升和下降時間。NSG4427在其額定功率和電壓范圍內的任何條件下都具有高度的鎖存抵抗能力。當接地引腳上出現高達5V的噪聲尖峰(任一極性)時,NSG4427不會受到損壞。NSG4427可以接受高達500mA的反向電流強制返回其...
國硅代理商250V4A 單相高低側功率柵極驅動芯片NSG2023
國硅代理商250V4A 單相高低側功率柵極驅動芯片NSG2023
NSG2023是一款高壓、高速功率MOSFET高低側柵極驅動芯片。具有獨立的高側和低側參考輸出通道。NSG2023采用高低壓兼容工藝使得高、低側柵驅動電路可以單芯片集成,邏輯輸入電平兼容低至3.3V的CMOS或LSTTL邏輯輸出電平,輸出具有大電流脈沖能力和防直通的死區邏輯。NSG2023集成有自舉二極管,對...
國硅集成250V1.2A 單相高低側功率半橋柵極驅動芯片G2022
國硅集成250V1.2A 單相高低側功率半橋柵極驅動芯片G2022
G2022是一款高壓、高速功率MOSFET高低側驅動芯片。具有獨立的高側和低側參考輸出通道。G2022采用高低壓兼容工藝使得高、低側柵驅動電路可以單芯片集成,邏輯輸入電平兼容低至3.3V的CMOS或LSTTL邏輯輸出電平,輸出具有大電流脈沖能力和防直通的死區邏輯。G2022其浮動通道可用于驅動高壓側N溝道功率...
國硅代理商2A單通道低側同相柵極驅動芯片NSG44273
國硅代理商2A單通道低側同相柵極驅動芯片NSG44273
NSG44273是一款低電壓功率MOSFET和IGBT同相位柵極驅動芯片。專有的閂鎖免疫CMOS技術可以實現高魯棒性的單芯片集成結構。NSG44273邏輯輸入電平兼容低至3.3V的CMOS或LSTTL邏輯輸出電平。輸出驅動器具有寬VCC范圍、帶滯后的欠壓鎖定和輸出電流緩沖級。可以在-40℃至125℃溫度范圍內...
NSG2007國硅集成250V半橋高低側柵極驅動芯片東莞市中銘電子
NSG2007國硅集成250V半橋高低側柵極驅動芯片東莞市中銘電子
NSG2007是一款高壓、高速功率MOSFET高低側柵極驅動芯片。具有獨立的高側和低側參考輸出通道。NSG2007采用高低壓兼容工藝使得高、低側柵驅動電路可以單芯片集成,邏輯輸入電平兼容低至3.3V的CMOS或LSTTL邏輯輸出電平,輸出具有大電流脈沖能力和防直通的死區邏輯。NSG2007其浮動通道可用于驅動...
NSG21814 國硅集成700V半橋高低側柵極驅動芯片
NSG21814 國硅集成700V半橋高低側柵極驅動芯片
NSG21814是高壓、高速功率MOSFET/IGBT高低側驅動系列芯片,具有兩個獨立傳輸通道,邏輯地與功率地分離,可以更好的減少功率級噪聲對邏輯電路的干擾。內部集成了高、低側欠壓鎖定電路、過壓鉗位電路等保護電路,具備大電流脈沖輸出能力,邏輯輸入電平兼容低至3.3V的CMOS或LSTTL邏輯輸出電平,輸出電流...
NSG27531  2A/4A帶使能的單通道低側柵極驅動芯片東莞市中銘電子
NSG27531 2A/4A帶使能的單通道低側柵極驅動芯片東莞市中銘電子
NSG27531是一款低電壓功率MOSFET和IGBT同相位 柵驅動器。專有的閂鎖免疫CMOS技術可以實現高魯 棒性的單芯片集成結構。NSG27531邏輯輸入電平兼容
國硅集成代理商提供700V大電流、高低側柵極驅動芯片NSG2184
國硅集成代理商提供700V大電流、高低側柵極驅動芯片NSG2184
NSG2184 是高壓、 高速功率 MOSFET/IGBT 高低側驅 動系列芯片, 具有單輸入信號同時控制兩個傳輸通道。 內部集成了高、 低側欠壓鎖定電路、 過壓鉗位電路、 和防直通鎖定電路等保護電路, 具備大電流脈沖輸出 能力, 邏輯輸入電平兼容低至 3.3V 的 CMOS 或 LSTTL 邏輯輸...
國硅集成NSG21271 300V帶過流檢測的單通道高側 柵極驅動芯片
國硅集成NSG21271 300V帶過流檢測的單通道高側 柵極驅動芯片
NSG21271是一組帶過流檢測的高電壓、高速單通道高側MOSFET/IGBT驅動芯片。NSG21271采用高低壓兼容工藝使得高側柵驅動電路單芯片集成,邏輯輸入電平兼容低至3.3V的CMOS或LSTTL邏輯輸出電平。內置高側過流保護電路,當檢測到過流狀態時,關斷芯片輸出,同時,一個漏極開路的FAULT端口輸出...
國硅集成200V單相高側功率柵極驅動芯片NSG20752應用電機控制
國硅集成200V單相高側功率柵極驅動芯片NSG20752應用電機控制
NSG20752是一款高壓、高速功率MOSFET高側驅動芯片。NSG20752采用高低壓兼容工藝使得高側柵驅動電路可以單芯片集成,邏輯輸入電平兼容低至3.3V的CMOS或LSTTL邏輯輸出電乎,輸出具有大電流脈沖能力。NSG20752其浮動通道可用于驅動高壓側N溝道功率MOSFET,浮地通道最高工作電壓可達2...
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